Резултати
еНаука >
Резултати >
Analysis of postirradiation annealing of n-channel power vertical double-diffused metal-oxide-semiconductor transistors
Назив: | Analysis of postirradiation annealing of n-channel power vertical double-diffused metal-oxide-semiconductor transistors | Аутори: | Ristic, Goran S ![]() ![]() |
Година: | 2000 | Публикација: | JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | ISSN: | 0021-8979![]() ![]() |
Тип резултата: | Научни чланак | Колација: | vol. 87 br. 7 str. 3468-3477 | DOI: | 10.1063/1.372368 | WoS-ID: | 000085878100046 | Scopus-ID: | 2-s2.0-0041466223 | URI: | https://enauka.gov.rs/handle/123456789/825483 | Извор метаподатака: | (Preuzeto iz Nasi u WoS) | М-категорија: | 21aM21a - Рад у међ. часопису изузетних вредности |
![](/image/scopus.png)
SCOPUSTM
![](/image/opencitations.png)
OpenCitations
![](/image/wos.png)
WEB OF SCIENCETM
Алт метрика
Dimensions
Unpaywall
Резултати на еНаука су заштићени ауторским правима и сва права су задржана, осим ако није другачије назначено.