еНаука - преглед

Преглед према Аутор Alkoash, Abed Alkhem

Приказ резултата 1 до 3 од 3
ГодинаНасловАутор(и)Тип резултатаМп-кат.
20134H-SiC VDMOS - drift-region saturation, channel saturation and their order of appearanceAbood, Imhammad; Lukić, Petar M.  ; Šašić, Rajko  ; Alkoash, Abed Alkhem; Ostojić, Stanko M.Naučni članak
23M23 - Međunarodni časopis kategorije M23
2011An Improvement of Analytical I-V Model for Surrounding-Gate MOSFETsAlkoash, Abed Alkhem; Šašić, Rajko  ; Ostojić, Stanko M.; Lukić, Petar M.  Naučni članak
22M22 - Međunarodni časopis kategorije M22
2010The influence of quantum effects on spatial distribution of carriers in surrounding-gate cylindrical MOSFETsŠašić, Rajko  ; Lukić, Petar M.  ; Ostojić, Stanko M.; Alkoash, Abed AlkhemNaučni članak
22M22 - Međunarodni časopis kategorije M22