Резултати

еНаука >  Резултати >  An Improvement of Analytical I-V Model for Surrounding-Gate MOSFETs
Назив: An Improvement of Analytical I-V Model for Surrounding-Gate MOSFETs
Аутори: Alkoash, Abed Alkhem; Šašić, Rajko  ; Ostojić, Stanko M.; Lukić, Petar M.  
Година: 2011
Публикација: Journal of Computational and Theoretical Nanoscience
ISSN: 1546-1955 Journal of Computational and Theoretical Nanoscience Претражи идентификатор
Издавач: Amer Scientific Publishers, Stevenson Ranch
Тип резултата: Научни чланак
Колација: vol. 8 br. 1 str. 47-50
DOI: 10.1166/jctn.2011.1657
WoS-ID: 000289698000009
Scopus-ID: 2-s2.0-84856923235
URI: https://enauka.gov.rs/handle/123456789/556038
http://TechnoRep.tmf.bg.ac.rs/handle/123456789/1956
https://machinery.mas.bg.ac.rs/handle/123456789/1153
Пројекат: Serbian Ministry of Science and Technological Development
М-категорија: 
22M22 - Међународни часопис категорије M22

4
SCOPUSTM
1
OpenCitations
4
WEB OF SCIENCETM
Алт метрика
Dimensions
Unpaywall

Резултати на еНаука су заштићени ауторским правима и сва права су задржана, осим ако није другачије назначено.