eNauka - pregled

Pregled prema Autor Abood, Imhimmad

Prikaz rezultata 1 do 2 od 2
GodinaNaslovAutor(i)Tip rezultataMp-kat.
2013Analytical Model for Drift Region Voltage Drop in 4H-SiC Vertical Double Implanted Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor: Effect of AnisotropyAbood, Imhimmad; Šašić, Rajko  ; Ostojić, Stanko M.; Lukić, Petar M.  Naučni članak
22M22 - Međunarodni časopis kategorije M22
2014Surrounding gate long channel nanowire MOSFET modelling-extended analysisOstojić, Stanko M.; Šašić, Rajko  ; Lukić, Petar M.  ; Abood, ImhimmadKonferencijski rad
Mp kategorija će biti prikazana naknadno.