Резултати
еНаука >
Резултати >
Analytical Model for Drift Region Voltage Drop in 4H-SiC Vertical Double Implanted Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor: Effect of Anisotropy
| Назив: | Analytical Model for Drift Region Voltage Drop in 4H-SiC Vertical Double Implanted Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor: Effect of Anisotropy | Аутори: | Abood, Imhimmad; Šašić, Rajko   ; Ostojić, Stanko M.; Lukić, Petar M. |
Година: | 2013 | Публикација: | Japanese Journal of Applied Physics | ISSN: | 0021-4922 Japanese Journal of Applied Physics Претражи идентификатор |
Издавач: | IOP Publishing Ltd, Bristol | Тип резултата: | Научни чланак | Колација: | vol. 52 br. 9 str. 094302-094302 | DOI: | 10.7567/JJAP.52.094302 | WoS-ID: | 000323884300028 | Scopus-ID: | 2-s2.0-84883889999 | URI: | https://enauka.gov.rs/handle/123456789/255078 https://machinery.mas.bg.ac.rs/handle/123456789/1673 http://TechnoRep.tmf.bg.ac.rs/handle/123456789/2396 |
Пројекат: | Optoelektronski nanodimenzioni sistemi - put ka primeni (RS-45003) | М-категорија: | 22M22 - Међународни часопис категорије M22 |
Резултати на еНаука су заштићени ауторским правима и сва права су задржана, осим ако није другачије назначено.