eNauka - pregled
Pregled prema Autor Alkoash, Abed Alkhem
Prikaz rezultata 1 do 3 od 3
| Godina | Naslov | Autor(i) | Tip rezultata | Mp-kat. |
|---|---|---|---|---|
| 2013 | 4H-SiC VDMOS - drift-region saturation, channel saturation and their order of appearance | Abood, Imhammad; Lukić, Petar M.   ; Šašić, Rajko ; Alkoash, Abed Alkhem; Ostojić, Stanko M. | Naučni članak | 23M23 - Međunarodni časopis kategorije M23 |
| 2011 | An Improvement of Analytical I-V Model for Surrounding-Gate MOSFETs | Alkoash, Abed Alkhem; Šašić, Rajko ; Ostojić, Stanko M.; Lukić, Petar M. | Article | 22M22 |
| 2010 | The influence of quantum effects on spatial distribution of carriers in surrounding-gate cylindrical MOSFETs | Šašić, Rajko ; Lukić, Petar M. ; Ostojić, Stanko M.; Alkoash, Abed Alkhem | Naučni članak | 22M22 - Međunarodni časopis kategorije M22 |