Rezultati

eNauka >  Rezultati >  Leveraging TIPS-assisted one-pot di-bromination for thiazole-flanked NDI and PDI conjugated n-type semiconductors
Naziv: Leveraging TIPS-assisted one-pot di-bromination for thiazole-flanked NDI and PDI conjugated n-type semiconductors
Autori: Attar, Salahuddin S; Kim, Ji Hwan; Barlog, Maciej; Sredojević, Dušan  ; Kalin, Alex; Fang, Lei; Bazzi, Hassan S; Al-Hail, Sara J; Yoon, Myung-Han; Al-Hashimi, Mohammed
Godina: 2025
Publikacija: Materials Science
ISSN: 2633-5409 MATERIALS ADVANCES Pretraži identifikator
Tip rezultata: Naučni članak
DOI: 10.1039/d5ma00573f
WoS-ID: 001586981300001
Scopus-ID: 2-s2.0-105018758718
URI: https://vinar.vin.bg.ac.rs/handle/123456789/15715
https://enauka.gov.rs/handle/123456789/1004235
Projekat: Qatar National Research Fund [ARG01-0522-230270]
Qatar Research, Development and Innovation Council, Qatar National Research Fund
Izvor metapodataka: (Preuzeto iz Nasi u WoS)
M-kategorija: 
21M21 - Vodeći međunarodni časopis kategorije M21

Alt metrika
Dimensions
Unpaywall

Rezultati na eNauka su zaštićeni autorskim pravima i sva prava su zadržana, osim ako nije drugačije naznačeno.