Rezultati

eNauka >  Rezultati >  Raman mapping of 4‐MeV C and Si channeling implantation of 6H‐SiC
Naziv: Raman mapping of 4‐MeV C and Si channeling implantation of 6H‐SiC
Autori: Flessa, Aikaterini; Ntemou, Eleni; Kokkoris, Michael; Liarokapis, Efthymios; Gloginjić, Marko  ; Petrović, Srđan M.  ; Erich, Marko  ; Fazinić, Stjepko; Karlušić, Marko; Tomić, Kristina
Godina: 2019
Publikacija: Journal of Raman Spectroscopy
ISSN: 0377-0486 Journal of Raman Spectroscopy Pretraži identifikator
Tip rezultata: Naučni članak
Kolacija: vol. 50 br. 8 str. 1186-1196
DOI: 10.1002/jrs.5629
WoS-ID: 000479243700015
Scopus-ID: 2-s2.0-85070443908
URI: https://vinar.vin.bg.ac.rs/handle/123456789/8439
https://enauka.gov.rs/handle/123456789/159317
Projekat: AIDA-2020 - Advanced European Infrastructures for Detectors at Accelerators (EU-654168)
Hrvatska Zaklada za Znanost [MIOBICC (8127)]
European Regional Development Fund [KK.01.1.1.01.0001]
M-kategorija: 
21M21 - Vodeći međunarodni časopis kategorije M21

10
SCOPUSTM
4
OpenCitations
8
WEB OF SCIENCETM
Alt metrika
Dimensions
Unpaywall

Rezultati na eNauka su zaštićeni autorskim pravima i sva prava su zadržana, osim ako nije drugačije naznačeno.