Modelovanje napona praga p-kanalnih VDMOS tranzistora snage tokom naponsko temperaturnih naprezanja i odžarivanja

Manić, Ivica; Danković, Danijel; Stojadinović, Ninoslav

Rezultati

eNauka > Rezultati > Modelovanje napona praga p-kanalnih VDMOS tranzistora snage tokom naponsko temperaturnih naprezanja i odžarivanja

Naziv:	Modelovanje napona praga p-kanalnih VDMOS tranzistora snage tokom naponsko temperaturnih naprezanja i odžarivanja
Autori:	Manić, Ivica ; Danković, Danijel ; Stojadinović, Ninoslav
Godina:	2012
Publikacija:	Zbornik radova 56. konferencije ѕa ETRAN, Zlatibor
Izdavač:	Društvo za ETRAN Srbije, Srbija
Tip rezultata:	Konferencijski rad
ISBN:	978-86-80509-67-9 Pretraži identifikator
Kolacija:	vol. Mikroelektronika i O str. MO1.2-1-MO1.2-4
URI:	https://enauka.gov.rs/handle/123456789/181027
URL:	http://etran.etf.rs/index_e.html
Izvor metapodataka:	Migrirano iz RIS podataka
M-kategorija:	Mp kategorija će biti prikazana naknadno.

Pronađi DOI

Pronalaženje DOI u servisu CrossRef-u na osnovu meta-podataka u zapisu. Prikazaće se DOI (i metapodaci) čiji se podaci najviše poklapaju. OPREZ - to ne mora biti ta publikacija.

Google Scholar^TM

Rezultati na eNauka su zaštićeni autorskim pravima i sva prava su zadržana, osim ako nije drugačije naznačeno.