Rezultati

eNauka >  Rezultati >  Dose response, radiation sensitivity and signal fading of p-channel MOSFETs (RADFETs) irradiated up to 50 Gy with 60Co
Naziv: Dose response, radiation sensitivity and signal fading of p-channel MOSFETs (RADFETs) irradiated up to 50 Gy with 60Co
Autori: Pejović, Milić  
Godina: 2015
Publikacija: Applied Radiation and Isotopes
ISSN: 0969-8043 Applied Radiation and Isotopes Pretraži identifikator
Tip rezultata: Naučni članak
Kolacija: vol. 104 str. 100-105
DOI: 10.1016/j.apradiso.2015.06.024
WoS-ID: 000360948600014
Scopus-ID: 2-s2.0-84973412411
URI: https://enauka.gov.rs/handle/123456789/221977
Izvor metapodataka: Migrirano iz RIS podataka
M-kategorija: 
21M21 - Rad u vrhunskom međ. časopisu

16
SCOPUSTM
12
OpenCitations
17
WEB OF SCIENCETM
Alt metrika
Dimensions

Pronađi DOI

Unpaywall

Rezultati na eNauka su zaštićeni autorskim pravima i sva prava su zadržana, osim ako nije drugačije naznačeno.