Резултати

eNauka >  Rezultati >  Probing high-energy ion-implanted silicon by micro-Raman spectroscopy
Naziv: Probing high-energy ion-implanted silicon by micro-Raman spectroscopy
Autori: Kopsalis, I.  ; Paneta, Valentina; Kokkoris, Michael; Liarokapis, E.; Erich, Marko  ; Petrović, Srđan M.  ; Fazinic, S.; Tadić, Tonči
Godina: 2014
Publikacija: Journal of Raman Spectroscopy
ISSN: 0377-0486 Journal of Raman Spectroscopy Pretraži identifikator
1097-4555 Journal of Raman Spectroscopy Pretraži identifikator
Tip rezultata: Naučni članak
Kolacija: vol. 45 br. 8 str. 650-656
DOI: 10.1002/jrs.4507
WoS-ID: 000342205200005
Scopus-ID: 2-s2.0-84905870363
URI: https://enauka.gov.rs/handle/123456789/245223
https://vinar.vin.bg.ac.rs/handle/123456789/158
Projekat: Fizika i hemija sa jonskim snopovima (RS-45006)
SPIRIT - Support of Public and Industrial Research using Ion Beam Technology (EU-227012)
M-kategorija: 
21M21 - Vodeći međunarodni časopis kategorije M21

5
SCOPUSTM
4
OpenCitations
5
WEB OF SCIENCETM
Алт метрика
Dimensions
Unpaywall

Резултати на еНаука су заштићени ауторским правима и сва права су задржана, осим ако није другачије назначено.