Резултати

eNauka >  Rezultati >  A hybrid magnetic/complementary metal oxide semiconductor three-context memory bit cell for non-volatile circuit design
Naziv: A hybrid magnetic/complementary metal oxide semiconductor three-context memory bit cell for non-volatile circuit design
Autori: Jovanović, Bojan  ; Brum, R. M.; Torres, L.
Godina: 2014
Publikacija: Journal of Applied Physics
ISSN: 0021-8979 Journal of Applied Physics Pretraži identifikator
Tip rezultata: Naučni članak
Kolacija: vol. 115 br. 13 str. 134316-134316
DOI: 10.1063/1.4870599
WoS-ID: 000334578200060
Scopus-ID: 2-s2.0-84898045356
URI: https://enauka.gov.rs/handle/123456789/268652
Izvor metapodataka: Migrirano iz RIS podataka
M-kategorija: 
21M21 - Vodeći međunarodni časopis kategorije M21

9
SCOPUSTM
6
OpenCitations
7
WEB OF SCIENCETM
Алт метрика
Dimensions
Unpaywall

Резултати на еНаука су заштићени ауторским правима и сва права су задржана, осим ако није другачије назначено.