Rezultati
eNauka >
Rezultati >
Wave approach for noise modeling of gallium nitride high electron mobility transistors
| Naziv: | Wave approach for noise modeling of gallium nitride high electron mobility transistors | Autori: | Đorđević, Vladica N. |
Godina: | 2017 | Publikacija: | International Journal of Numerical Modeling: Electronic Networks, Devices and Fields | ISSN: | 1099-1204 International Journal of Numerical Modelling: Electronic Networks, Devices and Fields Pretraži identifikator |
Izdavač: | John Wiley & Sons | Tip rezultata: | Naučni članak | Kolacija: | vol. 30 br. 1 str. 1-9 | DOI: | 10.1002/jnm.2138 | WoS-ID: | 000390786800010 | Scopus-ID: | 2-s2.0-85010377860 | URI: | https://enauka.gov.rs/handle/123456789/349332 | Projekat: | Serbian Ministry of Education and Science [TR-32052] [PON 01_01322 PANREX] Italian Ministry of Education, Universities and Research (MIUR) |
Izvor metapodataka: | (Preuzeto iz Nasi u WoS) Migrirano iz RIS podataka |
M-kategorija: | 23M23 - Međunarodni časopis kategorije M23 |
Rezultati na eNauka su zaštićeni autorskim pravima i sva prava su zadržana, osim ako nije drugačije naznačeno.