Rezultati

eNauka >  Rezultati >  Analytical model of SiC DIMOSFET's drift region voltage impact on current-voltage characteristics
Naziv: Analytical model of SiC DIMOSFET's drift region voltage impact on current-voltage characteristics
Autori: Lukić, Petar M.  ; Šašić, Rajko; Lončar, Boris; Zunjić, A. G.
Godina: 2011
Publikacija: Optoelectronics and Advanced Materials-Rapid Communications
ISSN: 1842-6573 Optoelectronics and Advanced Materials-Rapid Communications Pretraži identifikator
Izdavač: Natl Inst Optoelectronics, Bucharest-Magurele
Tip rezultata: Naučni članak
Kolacija: vol. 5 br. 5-6 str. 551-554
WoS-ID: 000292891400017
URI: http://TechnoRep.tmf.bg.ac.rs/handle/123456789/1945
https://enauka.gov.rs/handle/123456789/385932
https://machinery.mas.bg.ac.rs/handle/123456789/1167
Projekat: Optoelektronski nanodimenzioni sistemi - put ka primeni (RS-45003)
M-kategorija: 
23M23 - Rad u međ. časopisu

2
WEB OF SCIENCETM

Pronađi DOI


Rezultati na eNauka su zaštićeni autorskim pravima i sva prava su zadržana, osim ako nije drugačije naznačeno.