Резултати
еНаука >
Резултати >
Influence of the semiconductor doping level on the carrier surface density in an AlGaN/GaN MODFET channel
| Назив: | Influence of the semiconductor doping level on the carrier surface density in an AlGaN/GaN MODFET channel | Аутори: | Šašić, Rajko; Cevizović, D |
Година: | 2002 | Публикација: | Materials Science Forum | ISSN: | 0255-5476 Materials Science Forum Претражи идентификатор |
Издавач: | Proceedings of the fourth Yugoslav Materials Research Society Conference (YUCOMAT IV) | Тип резултата: | Научни чланак | Колација: | vol. 413 str. 39-44 | DOI: | 10.4028/www.scientific.net/msf.413.39 | WoS-ID: | 000180730700008 | Scopus-ID: | 2-s2.0-0036926638 | URI: | http://TechnoRep.tmf.bg.ac.rs/handle/123456789/411 https://enauka.gov.rs/handle/123456789/442829 |
М-категорија: | 22M22 - Међународни часопис категорије M22 |
Резултати на еНаука су заштићени ауторским правима и сва права су задржана, осим ако није другачије назначено.