Rezultati

eNauka >  Rezultati >  Influence of the semiconductor doping level on the carrier surface density in an AlGaN/GaN MODFET channel
Naziv: Influence of the semiconductor doping level on the carrier surface density in an AlGaN/GaN MODFET channel
Autori: Šašić, Rajko; Cevizović, D  ; Ramović, Rifat M.
Godina: 2002
Publikacija: Materials Science Forum
ISSN: 0255-5476 Materials Science Forum Pretraži identifikator
Izdavač: Proceedings of the fourth Yugoslav Materials Research Society Conference (YUCOMAT IV)
Tip rezultata: Naučni članak
Kolacija: vol. 413 str. 39-44
DOI: 10.4028/www.scientific.net/msf.413.39
WoS-ID: 000180730700008
Scopus-ID: 2-s2.0-0036926638
URI: http://TechnoRep.tmf.bg.ac.rs/handle/123456789/411
https://enauka.gov.rs/handle/123456789/442829
M-kategorija: 
22M22 - Međunarodni časopis kategorije M22

4
SCOPUSTM
2
OpenCitations
5
WEB OF SCIENCETM
Alt metrika
Dimensions
Unpaywall

Rezultati na eNauka su zaštićeni autorskim pravima i sva prava su zadržana, osim ako nije drugačije naznačeno.