Резултати

еНаука >  Резултати >  Influence of the semiconductor doping level on the carrier surface density in an AlGaN/GaN MODFET channel
Назив: Influence of the semiconductor doping level on the carrier surface density in an AlGaN/GaN MODFET channel
Аутори: Šašić, Rajko; Cevizović, D  ; Ramović, Rifat M.
Година: 2002
Публикација: Materials Science Forum
ISSN: 0255-5476 Materials Science Forum Претражи идентификатор
Издавач: Proceedings of the fourth Yugoslav Materials Research Society Conference (YUCOMAT IV)
Тип резултата: Научни чланак
Колација: vol. 413 str. 39-44
DOI: 10.4028/www.scientific.net/msf.413.39
WoS-ID: 000180730700008
Scopus-ID: 2-s2.0-0036926638
URI: http://TechnoRep.tmf.bg.ac.rs/handle/123456789/411
https://enauka.gov.rs/handle/123456789/442829
М-категорија: 
22M22 - Међународни часопис категорије M22

4
SCOPUSTM
2
OpenCitations
5
WEB OF SCIENCETM
Алт метрика
Dimensions
Unpaywall

Резултати на еНаука су заштићени ауторским правима и сва права су задржана, осим ако није другачије назначено.