Резултати

eNauka >  Rezultati >  Analytical and Simulation Fair Comparison of Three Level Si IGBT Based NPC Topologies and Two Level SiC MOSFET Based Topology for High Speed Drives
Naziv: Analytical and Simulation Fair Comparison of Three Level Si IGBT Based NPC Topologies and Two Level SiC MOSFET Based Topology for High Speed Drives
Autori: Loncarski, Jelena; Monopoli, Vito Giuseppe; Leuzzi, Riccardo; Ristić, Leposava  ; Cupertino, Francesco
Godina: 2019
Publikacija: ENERGIES
ISSN: 1996-1073 Energies Pretraži identifikator
Tip rezultata: Naučni članak
Kolacija: vol. 12 br. 23 str. 4571-4571
DOI: 10.3390/en12234571
WoS-ID: 000514090100169
Scopus-ID: 2-s2.0-85076097715
URI: http://zaposleni.etf.bg.ac.rs/rest/sciNaucniRezultati/oai/record/2/707757
https://enauka.gov.rs/handle/123456789/564701
URL: https://www.mdpi.com/1996-1073/12/23/4571
Izvor metapodataka: Migracija
M-kategorija: 
22M22 - Međunarodni časopis kategorije M22

22
SCOPUSTM
14
OpenCitations
19
WEB OF SCIENCETM
Алт метрика
Dimensions
Unpaywall

Резултати на еНаука су заштићени ауторским правима и сва права су задржана, осим ако није другачије назначено.