Rezultati

eNauka >  Rezultati >  Strain dependence of internal displacement and effective charge in wurtzite III-N semiconductors
Naziv: Strain dependence of internal displacement and effective charge in wurtzite III-N semiconductors
Autori: Pal, Joydeep; Tse, Geoffrey; Haxha, Vesel; Migliorato, Max A; Tomić, Stanko  
Godina: 2012
Publikacija: Journal of Physics: Conference Series
ISSN: 1742-6596 Pretraži identifikator
Tip rezultata: Naučni članak
Kolacija: vol. 367 str. 012006-012006
DOI: 10.1088/1742-6596/367/1/012006
WoS-ID: 000305745300006
Scopus-ID: 2-s2.0-84862233583
URI: https://enauka.gov.rs/handle/123456789/852490
Izvor metapodataka: (Preuzeto iz CrossRef-a) Tomić, Stanko
M-kategorija: 
Mp kategorija će biti prikazana naknadno.

1
SCOPUSTM
1
WEB OF SCIENCETM
Alt metrika
Dimensions
Unpaywall

Rezultati na eNauka su zaštićeni autorskim pravima i sva prava su zadržana, osim ako nije drugačije naznačeno.