Резултати

еНаука >  Резултати >  Lattice relaxation around impurity atoms in semiconductors - arsenic in silicon - a comparison between experiment and theory
Назив: Lattice relaxation around impurity atoms in semiconductors - arsenic in silicon - a comparison between experiment and theory
Аутори: Koteski, V  ; Ivanovic, N  ; Haas, H; Holub-Krappe, E; Mahnke, HE
Година: 2003
Публикација: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms
ISSN: 0168-583X Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms Претражи идентификатор
Тип резултата: Научни чланак
Колација: vol. 200 str. 60-65
DOI: 10.1016/S0168-583X(02)01675-0
WoS-ID: 000180998600010
Scopus-ID: 2-s2.0-0037245110
URI: https://enauka.gov.rs/handle/123456789/887211
М-категорија: 
21M21 - Водећи међународни часопис категорије M21

24
SCOPUSTM
23
OpenCitations
24
WEB OF SCIENCETM
Алт метрика
Dimensions
Unpaywall

Резултати на еНаука су заштићени ауторским правима и сва права су задржана, осим ако није другачије назначено.