Lattice relaxation around impurity atoms in semiconductors - arsenic in silicon - a comparison between experiment and theory

Koteski, V; Ivanovic, N; Haas, H; Holub-Krappe, E; Mahnke, HE

Резултати

еНаука > Резултати > Lattice relaxation around impurity atoms in semiconductors - arsenic in silicon - a comparison between experiment and theory

Назив:	Lattice relaxation around impurity atoms in semiconductors - arsenic in silicon - a comparison between experiment and theory
Аутори:	Koteski, V ; Ivanovic, N ; Haas, H; Holub-Krappe, E; Mahnke, HE
Година:	2003
Публикација:	Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms
ISSN:	0168-583X Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms Претражи идентификатор
Тип резултата:	Научни чланак
Колација:	vol. 200 str. 60-65
DOI:	10.1016/S0168-583X(02)01675-0
WoS-ID:	000180998600010
Scopus-ID:	2-s2.0-0037245110
URI:	https://enauka.gov.rs/handle/123456789/887211
М-категорија:	21M21 - Рад у врхунском међ. часопису

24
SCOPUS^TM

24
WEB OF SCIENCE^TM

Алт метрика

Dimensions

Пронађи DOI

Проналажење DOI у сервису CrossRef-у на основу мета-података у запису. Приказаће се DOI (и метаподаци) чији се подаци највише поклапају. ОПРЕЗ - то не мора бити та публикација.

Unpaywall

Резултати на еНаука су заштићени ауторским правима и сва права су задржана, осим ако није другачије назначено.