NBTI and irradiation related degradation mechanisms in power VDMOS transistors

Results

Naziv:	NBTI and irradiation related degradation mechanisms in power VDMOS transistors
Autori:	Stojadinović, Ninoslav ; Đorić-Veljković, Snežana ; Davidović, Vojkan ; Golubović, Snežana ; Stanković, Srboljub ; Prijić, Aneta ; Prijić, Zoran ; Manić, Ivica ; Danković, Danijel
Godina:	2018
Publikacija:	Microelectronics Reliability
ISSN:	0026-2714 Microelectronics Reliability Pretraži identifikator
Izdavač:	United Kingdom : Elsevier Ltd.
Tip rezultata:	Naučni članak
Kolacija:	vol. 88-90 str. 135-141
DOI:	10.1016/j.microrel.2018.07.138
WoS-ID:	000448227000026
Scopus-ID:	2-s2.0-85054785454
URI:	https://enauka.gov.rs/handle/123456789/153928 https://vinar.vin.bg.ac.rs/handle/123456789/12129
Projekat:	Serbian Academy of Sciences and Arts [F-148] Карактеризација, анализа и моделовање физичких појава у танким слојевима за примену у MOS нанокомпонентама
Izvor metapodataka:	Migracija Migrirano iz RIS podataka
M-kategorija:	22M22 - Međunarodni časopis kategorije M22

16
SCOPUS^TM

11
OpenCitations

15
WEB OF SCIENCE^TM

Altmetric

Dimensions

Unpaywall