Rezultati

eNauka >  Rezultati >  High electric field stress model of n-channel VDMOSFET based on artificial neural network
Naziv: High electric field stress model of n-channel VDMOSFET based on artificial neural network
Autori: Aleksić, Sanja  ; Pantić, Aleksandar  ; Pantić, Dragan  
Godina: 2018
Publikacija: Journal of Computational Electronics
ISSN: 1569-8025 Journal of Computational Electronics Pretraži identifikator
Tip rezultata: Naučni članak
Kolacija: vol. 17 br. 3 str. 1210-1219
DOI: 10.1007/s10825-018-1167-z
WoS-ID: 000442609200034
Scopus-ID: 2-s2.0-85045141439
URI: https://enauka.gov.rs/handle/123456789/161521
Izvor metapodataka: Migrirano iz RIS podataka
M-kategorija: 
22M22 - Međunarodni časopis kategorije M22

4
SCOPUSTM
1
OpenCitations
3
WEB OF SCIENCETM
Alt metrika
Dimensions
Unpaywall

Rezultati na eNauka su zaštićeni autorskim pravima i sva prava su zadržana, osim ako nije drugačije naznačeno.