Rezultati

еНаука >  Резултати >  High electric field stress model of n-channel VDMOSFET based on artificial neural network
Назив: High electric field stress model of n-channel VDMOSFET based on artificial neural network
Аутори: Aleksić, Sanja  ; Pantić, Aleksandar  ; Pantić, Dragan  
Година: 2018
Публикација: Journal of Computational Electronics
ISSN: 1569-8025 Journal of Computational Electronics Претражи идентификатор
Тип резултата: Научни чланак
Колација: vol. 17 br. 3 str. 1210-1219
DOI: 10.1007/s10825-018-1167-z
WoS-ID: 000442609200034
Scopus-ID: 2-s2.0-85045141439
URI: https://enauka.gov.rs/handle/123456789/161521
Извор метаподатака: Migrirano iz RIS podataka
М-категорија: 
22M22 - Међународни часопис категорије M22

4
SCOPUSTM
1
OpenCitations
3
WEB OF SCIENCETM
Alt metrika
Dimensions
Unpaywall

Rezultati na eNauka su zaštićeni autorskim pravima i sva prava su zadržana, osim ako nije drugačije naznačeno.