Rezultati

еНаука >  Резултати >  N-type silicon electron mobility and its relationship to the kink effect for nano-scaled SOI NMOS devices
Назив: N-type silicon electron mobility and its relationship to the kink effect for nano-scaled SOI NMOS devices
Аутори: Sarajlić, Milija  ; Ramović, R.
Година: 2007
Публикација: Materials Science Forum
ISSN: 0255-5476 Materials Science Forum Претражи идентификатор
Тип резултата: Конференцијски рад
Колација: vol. 555 str. 153-158
DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.555.153
WoS-ID: 000249653700024
Scopus-ID: 2-s2.0-38349078602
URI: https://cer.ihtm.bg.ac.rs/handle/123456789/347
https://enauka.gov.rs/handle/123456789/202458
М-категорија: 
Мп категорија ће бити приказана накнадно.

Alt metrika
Dimensions
Unpaywall

Google ScholarTM

Rezultati na eNauka su zaštićeni autorskim pravima i sva prava su zadržana, osim ako nije drugačije naznačeno.