Резултати
еНаука >
Резултати >
Effects of consecutive irradiation and bias temperature stress in p-channel power vertical double-diffused metal oxide semiconductor transistors
| Назив: | Effects of consecutive irradiation and bias temperature stress in p-channel power vertical double-diffused metal oxide semiconductor transistors | Аутори: | Davidović, Vojkan   ; Danković, Danijel ; Ilić, Aleksandar; Manić, Ivica ; Golubović, Snežana ; Đorić-Veljković, Snežana ; Prijić, Zoran ; Prijić, Aneta ; Stojadinović, Ninoslav |
Година: | 2018 | Публикација: | Japanese Journal of Applied Physics | ISSN: | 0021-4922 Japanese Journal of Applied Physics Претражи идентификатор |
Издавач: | Japan : Institute of Pure and Applied Physics | Тип резултата: | Научни чланак | Колација: | vol. 57 br. 4 str. 044101-044101 | DOI: | 10.7567/jjap.57.044101 | WoS-ID: | 000426931900001 | Scopus-ID: | 2-s2.0-85044411052 | URI: | https://enauka.gov.rs/handle/123456789/283086 | Извор метаподатака: | Migrirano iz RIS podataka | М-категорија: | 23M23 - Рад у међ. часопису |
6
SCOPUSTM
4
OpenCitations
5
WEB OF SCIENCETM
Алт метрика
Dimensions
Unpaywall
Резултати на еНаука су заштићени ауторским правима и сва права су задржана, осим ако није другачије назначено.