Резултати

еНаука >  Резултати >  Sub-sircuit model of fully-depleted double-gate FinFET including the effects of oxide and interface trapped charge
Назив: Sub-sircuit model of fully-depleted double-gate FinFET including the effects of oxide and interface trapped charge
Аутори: Pesic-Brdjanin, Tatjana; Janković, Nebojša 
Година: 2015
Публикација: IEEE EUROCON 2015 - INTERNATIONAL CONFERENCE ON COMPUTER AS A TOOL (EUROCON)
Тип резултата: Конференцијски рад
Колација: str. 273-276
DOI: 10.1109/eurocon.2015.7313741
WoS-ID: 000380463400078
Scopus-ID: 2-s2.0-84961751355
URI: https://enauka.gov.rs/handle/123456789/365096
Извор метаподатака: Migracija
М-категорија: 
Мп категорија ће бити приказана накнадно.

1
WEB OF SCIENCETM
Алт метрика
Dimensions
Unpaywall

Google ScholarTM

Резултати на еНаука су заштићени ауторским правима и сва права су задржана, осим ако није другачије назначено.