Резултати

еНаука >  Резултати >  Micro-Raman depth profiling of silicon amorphization induced by high-energy ion channeling implantation
Назив: Micro-Raman depth profiling of silicon amorphization induced by high-energy ion channeling implantation
Аутори: Erich, Marko  ; Petrović, Srđan M.  ; Kokkoris, Michael; Liarokapis, E.; Antonakos, A.; Telečki, Igor N.  
Година: 2013
Публикација: Journal of Raman Spectroscopy
ISSN: 0377-0486 Journal of Raman Spectroscopy Претражи идентификатор
1097-4555 Journal of Raman Spectroscopy Претражи идентификатор
Тип резултата: Научни чланак
Колација: vol. 44 br. 3 str. 496-500
DOI: 10.1002/jrs.4211
WoS-ID: 000316966900024
Scopus-ID: 2-s2.0-84875734797
URI: https://enauka.gov.rs/handle/123456789/444660
https://vinar.vin.bg.ac.rs/handle/123456789/5393
Пројекат: SPIRIT - Support of Public and Industrial Research using Ion Beam Technology (EU-227012)
Fizika i hemija sa jonskim snopovima (RS-45006)
М-категорија: 
21M21 - Рад у врхунском међ. часопису

7
SCOPUSTM
7
OpenCitations
7
WEB OF SCIENCETM
Алт метрика
Dimensions

Пронађи DOI

Unpaywall

Резултати на еНаука су заштићени ауторским правима и сва права су задржана, осим ако није другачије назначено.