Investigation of the 4 MeV C and Si ion channeling implantation influence on the structure of 6H-SiC monocrystal

Gloginjić, Marko P.; Srdjan Petrović; Marko Erich; Aikaterini Flessa; Eleni Ntemou; Michael Kokkoris; Efthymios Liarokapis; Stjepko Fazinić; Marko Karlušić; Kristina Tomić

Rezultati

eNauka > Rezultati > Investigation of the 4 MeV C and Si ion channeling implantation influence on the structure of 6H-SiC monocrystal

Naziv:	Investigation of the 4 MeV C and Si ion channeling implantation influence on the structure of 6H-SiC monocrystal
Autori:	Gloginjić, Marko P. ; Srdjan Petrović; Marko Erich; Aikaterini Flessa; Eleni Ntemou; Michael Kokkoris; Efthymios Liarokapis; Stjepko Fazinić; Marko Karlušić; Kristina Tomić
Godina:	2019
Publikacija:	Eighteenth Young Researchers' Conference Materials Sciences and Engineering, December 4-6, 2019, Belgrade
Izdavač:	Belgrade : Institute of Technical Sciences of SASA
Tip rezultata:	Konferencijski rad
ISBN:	978-86-80321-35-6 Pretraži identifikator
URI:	https://enauka.gov.rs/handle/123456789/478032
Izvor metapodataka:	Migrirano iz RIS podataka
M-kategorija:	Mp kategorija će biti prikazana naknadno.

Pronađi DOI

Pronalaženje DOI u servisu CrossRef-u na osnovu meta-podataka u zapisu. Prikazaće se DOI (i metapodaci) čiji se podaci najviše poklapaju. OPREZ - to ne mora biti ta publikacija.

Google Scholar^TM

Rezultati na eNauka su zaštićeni autorskim pravima i sva prava su zadržana, osim ako nije drugačije naznačeno.