Резултати
еНаука >
Резултати >
Investigation of the 4 MeV C and Si ion channeling implantation influence on the structure of 6H-SiC monocrystal
| Naziv: | Investigation of the 4 MeV C and Si ion channeling implantation influence on the structure of 6H-SiC monocrystal | Autori: | Gloginjić, Marko P.   ; Srdjan Petrović; Marko Erich; Aikaterini Flessa; Eleni Ntemou; Michael Kokkoris; Efthymios Liarokapis; Stjepko Fazinić; Marko Karlušić; Kristina Tomić |
Godina: | 2019 | Publikacija: | Eighteenth Young Researchers' Conference Materials Sciences and Engineering, December 4-6, 2019, Belgrade | Izdavač: | Belgrade : Institute of Technical Sciences of SASA | Tip rezultata: | Konferencijski rad | ISBN: | 978-86-80321-35-6  Pretraži identifikator |
URI: | https://enauka.gov.rs/handle/123456789/478032 | Izvor metapodataka: | Migrirano iz RIS podataka | M-kategorija: | Mp kategorija će biti prikazana naknadno. |
Google ScholarTM
Резултати на еНаука су заштићени ауторским правима и сва права су задржана, осим ако није другачије назначено.