Резултати
еНаука >
Резултати >
4H-SiC vertical double implanted metal-oxide-semiconductor drift region-energy aspects of its formation and analysis
| Назив: | 4H-SiC vertical double implanted metal-oxide-semiconductor drift region-energy aspects of its formation and analysis | Аутори: | Alkhem, Abdel; Šašić, Rajko   ; Lukić, Petar M. ; Ostojić, Stanko M. |
Година: | 2014 | Публикација: | Physica Scripta | ISSN: | 0031-8949 Physica Scripta Претражи идентификатор |
Издавач: | IOP Publishing Ltd, Bristol | Тип резултата: | Научни чланак | Колација: | vol. 89 br. 1 str. 015803-015803 | DOI: | 10.1088/0031-8949/89/01/015803 | WoS-ID: | 000329323200018 | Scopus-ID: | 2-s2.0-84891865743 | URI: | https://machinery.mas.bg.ac.rs/handle/123456789/1995 https://enauka.gov.rs/handle/123456789/481328 http://TechnoRep.tmf.bg.ac.rs/handle/123456789/2781 |
Пројекат: | Optoelektronski nanodimenzioni sistemi - put ka primeni (RS-45003) | М-категорија: | 22M22 - Рад у истакнутом међ. часопису |
Алт метрика
Dimensions
Unpaywall
Резултати на еНаука су заштићени ауторским правима и сва права су задржана, осим ако није другачије назначено.