Резултати

еНаука >  Резултати >  Modeling and PSPICE simulation of NBTI effects in VDMOS transistors
Назив: Modeling and PSPICE simulation of NBTI effects in VDMOS transistors
Аутори: Marjanović, Miloš  ; Danković, Danijel  ; Prijić, Aneta  ; Prijić, Zoran  ; Janković, Nebojša ; Davidović, Vojkan  
Година: 2015
Публикација: Serbian Journal of Electrical Engineering
ISSN: 1451-4869 Serbian Journal of Electrical Engineering Претражи идентификатор
Тип резултата: Научни чланак
Колација: vol. 12 br. 1 str. 69-79
DOI: 10.2298/sjee1501069m
URI: https://enauka.gov.rs/handle/123456789/534594
Извор метаподатака: Migrirano iz RIS podataka
М-категорија: 
51M51 - Водећи национални часопис категорије M51

Алт метрика
Dimensions
Unpaywall

Резултати на еНаука су заштићени ауторским правима и сва права су задржана, осим ако није другачије назначено.