Results

eNauka >  Rezultati >  Modeling and PSPICE simulation of NBTI effects in VDMOS transistors
Naziv: Modeling and PSPICE simulation of NBTI effects in VDMOS transistors
Autori: Marjanović, Miloš  ; Danković, Danijel  ; Prijić, Aneta  ; Prijić, Zoran  ; Janković, Nebojša ; Davidović, Vojkan  
Godina: 2015
Publikacija: Serbian Journal of Electrical Engineering
ISSN: 1451-4869 Serbian Journal of Electrical Engineering Pretraži identifikator
Tip rezultata: Naučni članak
Kolacija: vol. 12 br. 1 str. 69-79
DOI: 10.2298/sjee1501069m
URI: https://enauka.gov.rs/handle/123456789/534594
Izvor metapodataka: Migrirano iz RIS podataka
M-kategorija: 
51M51 - Vodeći nacionalni časopis kategorije M51

Altmetric
Dimensions
Unpaywall

Items in eNauka are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.