Резултати
еНаука >
Резултати >
Influence of the Charge State of Xenon Ions on the Depth Distribution Profile Upon Implantation into Silicon
| Назив: | Influence of the Charge State of Xenon Ions on the Depth Distribution Profile Upon Implantation into Silicon | Аутори: | Balakshin, Yu. V.; Kozhemiako, A. V.; Petrović, Srđan M.   ; Erich, Marko ; Shemukhin, Andrey A.; Chernysh, Vladimir S. |
Година: | 2019 | Публикација: | Semiconductors | ISSN: | 1063-7826 Semiconductors Претражи идентификатор |
Тип резултата: | Научни чланак | Колација: | vol. 53 br. 8 str. 1011-1017 | DOI: | 10.1134/S1063782619080062 | WoS-ID: | 000479255400002 | Scopus-ID: | 2-s2.0-85070469404 | URI: | https://enauka.gov.rs/handle/123456789/540072 https://vinar.vin.bg.ac.rs/handle/123456789/8436 |
Пројекат: | Russian Foundation for Basic Research (RFBR) [18-32-00833mol_a] Fizika i hemija sa jonskim snopovima (RS-45006) |
М-категорија: | 23M23 - Међународни часопис категорије M23 |
Резултати на еНаука су заштићени ауторским правима и сва права су задржана, осим ако није другачије назначено.