Rezultati

еНаука >  Резултати >  Modeling of NBTI degradation in p-channel VDMOSFETs
Назив: Modeling of NBTI degradation in p-channel VDMOSFETs
Аутори: Mitrović, Nikola  ; Danković, Danijel  ; Prijić, Zoran  ; Stojadinović, Ninoslav 
Година: 2020
Публикација: Journal of Applied Engineering Science
ISSN: 1451-4117 Journal of Applied Engineering Science Pretraži identifikator
Издавач: Centre for Evaluation in Education and Science ({CEON}/{CEES})
Тип резултата: Naučni članak
Колација: vol. 18 br. 4 str. 515-519
DOI: 10.5937/jaes0-26760
Scopus-ID: 2-s2.0-85097883100
URI: https://enauka.gov.rs/handle/123456789/776666
URL: http://dx.doi.org/10.5937/jaes0-26760
Izvor metapodataka: (Preuzeto iz ORCID-a) Mitrovic, Nikola
Podatke uređivali: Митић, Иван[Univerzitet u Nišu, Elektronski fakultet]
M-kategorija: 
24+M24+ - Međunarodni časopis kategorije M24+

4
SCOPUSTM
1
OpenCitations
Alt metrika
Dimensions
Unpaywall

Rezultati na eNauka su zaštićeni autorskim pravima i sva prava su zadržana, osim ako nije drugačije naznačeno.