Резултати

eNauka >  Rezultati >  NBT stress-induced degradation and lifetime estimation in p-channel power VDMOSFETs
Naziv: NBT stress-induced degradation and lifetime estimation in p-channel power VDMOSFETs
Autori: Danković, Danijel  ; Manić, Ivica  ; Đorić Veljković, Snežana  ; Davidović, Vojkan  ; Golubović, Snežana ; Stojadinović, Ninoslav 
Godina: 2006
Publikacija: Microelectronics Reliability
ISSN: 0026-2714 Microelectronics Reliability Pretraži identifikator
Izdavač: United Kingdom : Elsevier Ltd.
Tip rezultata: Naučni članak
Kolacija: vol. 46 br. 9-11 str. 1828-1833
DOI: 10.1016/j.microrel.2006.07.077
WoS-ID: 000240776100076
Scopus-ID: 2-s2.0-33747767168
URI: https://enauka.gov.rs/handle/123456789/797802
Izvor metapodataka: (Preuzeto iz Nasi u WoS)
M-kategorija: 
22M22 - Međunarodni časopis kategorije M22

35
SCOPUSTM
22
OpenCitations
31
WEB OF SCIENCETM
Алт метрика
Dimensions
Unpaywall

Резултати на еНаука су заштићени ауторским правима и сва права су задржана, осим ако није другачије назначено.