Rezultati

eNauka >  Rezultati >  Radiation effects in low-temperature stressed power VDMOS transistors
Naziv: Radiation effects in low-temperature stressed power VDMOS transistors
Autori: Djoric-Veljkovic, Snezana M; Davidovic, Vojkan S  ; Golubovic, Snezana M; Stojadinovic, Ninoslav D
Godina: 2000
Publikacija: 2000 INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CONFERENCE, VOLS 1 AND 2, CAS 2000 PROCEEDINGS
Tip rezultata: Konferencijski rad
Kolacija: str. 337-340
WoS-ID: 000168560900066
URI: https://enauka.gov.rs/handle/123456789/799747
Izvor metapodataka: (Preuzeto iz Nasi u WoS)
M-kategorija: 
Mp kategorija će biti prikazana naknadno.

Pronađi DOI


Google ScholarTM

Rezultati na eNauka su zaštićeni autorskim pravima i sva prava su zadržana, osim ako nije drugačije naznačeno.