Radiation effects in low-temperature stressed power VDMOS transistors

Djoric-Veljkovic, Snezana M; Davidovic, Vojkan S; Golubovic, Snezana M; Stojadinovic, Ninoslav D

Резултати

еНаука > Резултати > Radiation effects in low-temperature stressed power VDMOS transistors

Назив:	Radiation effects in low-temperature stressed power VDMOS transistors
Аутори:	Djoric-Veljkovic, Snezana M; Davidovic, Vojkan S; Golubovic, Snezana M; Stojadinovic, Ninoslav D
Година:	2000
Публикација:	2000 INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CONFERENCE, VOLS 1 AND 2, CAS 2000 PROCEEDINGS
Тип резултата:	Конференцијски рад
Колација:	str. 337-340
WoS-ID:	000168560900066
URI:	https://enauka.gov.rs/handle/123456789/799747
Извор метаподатака:	(Preuzeto iz Nasi u WoS)
М-категорија:	Мп категорија ће бити приказана накнадно.

Пронађи DOI

Проналажење DOI у сервису CrossRef-у на основу мета-података у запису. Приказаће се DOI (и метаподаци) чији се подаци највише поклапају. ОПРЕЗ - то не мора бити та публикација.

Google Scholar^TM

Резултати на еНаука су заштићени ауторским правима и сва права су задржана, осим ако није другачије назначено.