Rezultati
eNauka >
Rezultati >
Radiation and Spontaneous Annealing of Radiation-sensitive Field-effect Transistors with Gate Oxide Thicknesses of 400 and 1000 nm
| Naziv: | Radiation and Spontaneous Annealing of Radiation-sensitive Field-effect Transistors with Gate Oxide Thicknesses of 400 and 1000 nm | Autori: | Ristic, Goran S   ; Andjelkovic, Marko S; Duane, Russell; Palma, Alberto J; Jaksic, Aleksandar B |
Godina: | 2021 | Publikacija: | SENSORS AND MATERIALS | ISSN: | 0914-4935 Sensors and Materials Pretraži identifikator |
Tip rezultata: | Naučni članak | Kolacija: | vol. 33 br. 6 str. 2109-2109 | DOI: | 10.18494/SAM.2021.3425 | WoS-ID: | 000663933500005 | Scopus-ID: | 2-s2.0-85125488126 | URI: | https://enauka.gov.rs/handle/123456789/805497 | Projekat: | European Union's Horizon 2020 research and innovation programme [857558] Ministry of Education, Science and Technological Development, Serbia [43011] |
Izvor metapodataka: | (Preuzeto iz Nasi u WoS) | M-kategorija: | 23M23 - Međunarodni časopis kategorije M23 |
Rezultati na eNauka su zaštićeni autorskim pravima i sva prava su zadržana, osim ako nije drugačije naznačeno.