Резултати
еНаука >
Резултати >
Comparative analysis of the DC performance of DG MOSFETs on highly-doped and near-intrinsic silicon layers
| Назив: | Comparative analysis of the DC performance of DG MOSFETs on highly-doped and near-intrinsic silicon layers | Аутори: | Jankovic, Nebojsa D; Armstrong, GA | Година: | 2004 | Публикација: | MICROELECTRONICS JOURNAL | ISSN: | 0026-2692 Microelectronics Journal Претражи идентификатор |
Тип резултата: | Научни чланак | Колација: | vol. 35 br. 8 str. 647-653 | DOI: | 10.1016/j.mejo.2004.04.007 | WoS-ID: | 000222860000004 | Scopus-ID: | 2-s2.0-2942735504 | URI: | https://enauka.gov.rs/handle/123456789/813340 | Извор метаподатака: | (Preuzeto iz Nasi u WoS) | М-категорија: | 22M22 - Међународни часопис категорије M22 |
Резултати на еНаука су заштићени ауторским правима и сва права су задржана, осим ако није другачије назначено.