Rezultati

eNauka >  Rezultati >  Modelling of strained-Si/SiGe NMOS transistors including DC self-heating
Naziv: Modelling of strained-Si/SiGe NMOS transistors including DC self-heating
Autori: Jankovic, Nebojsa D; Pesic, Tatjana V; O'Neill, AG
Godina: 2006
Publikacija: SOLID-STATE ELECTRONICS
ISSN: 0038-1101 Solid-state Electronics Pretraži identifikator
Tip rezultata: Naučni članak
Kolacija: vol. 50 br. 3 str. 496-499
DOI: 10.1016/j.sse.2006.02.011
WoS-ID: 000237616500031
Scopus-ID: 2-s2.0-33646103908
URI: https://enauka.gov.rs/handle/123456789/813613
Izvor metapodataka: (Preuzeto iz Nasi u WoS)
M-kategorija: 
21M21 - Vodeći međunarodni časopis kategorije M21

2
SCOPUSTM
2
OpenCitations
1
WEB OF SCIENCETM
Alt metrika
Dimensions
Unpaywall

Rezultati na eNauka su zaštićeni autorskim pravima i sva prava su zadržana, osim ako nije drugačije naznačeno.