Резултати

еНаука >  Резултати >  Modelling of strained-Si/SiGe NMOS transistors including DC self-heating
Назив: Modelling of strained-Si/SiGe NMOS transistors including DC self-heating
Аутори: Jankovic, Nebojsa D; Pesic, Tatjana V; O'Neill, AG
Година: 2006
Публикација: SOLID-STATE ELECTRONICS
ISSN: 0038-1101 Solid-state Electronics Претражи идентификатор
Тип резултата: Научни чланак
Колација: vol. 50 br. 3 str. 496-499
DOI: 10.1016/j.sse.2006.02.011
WoS-ID: 000237616500031
Scopus-ID: 2-s2.0-33646103908
URI: https://enauka.gov.rs/handle/123456789/813613
Извор метаподатака: (Preuzeto iz Nasi u WoS)
М-категорија: 
21M21 - Водећи међународни часопис категорије M21

2
SCOPUSTM
2
OpenCitations
1
WEB OF SCIENCETM
Алт метрика
Dimensions
Unpaywall

Резултати на еНаука су заштићени ауторским правима и сва права су задржана, осим ако није другачије назначено.