Резултати

eNauka >  Rezultati >  Mechanisms of spontaneous recovery in DC gate bias stressed power VDMOSFETs
Naziv: Mechanisms of spontaneous recovery in DC gate bias stressed power VDMOSFETs
Autori: Manić, Ivica  ; Đorić Veljković, Snežana  ; Davidović, Vojkan  ; Danković, Danijel  ; Golubović, Snežana ; Stojadinović, Ninoslav 
Godina: 2008
Publikacija: IET CIRCUITS DEVICES & SYSTEMS
ISSN: 1751-8598 IET Circuits, Devices and Systems Pretraži identifikator
Tip rezultata: Naučni članak
Kolacija: vol. 2 br. 2 str. 213-221
DOI: 10.1049/iet-cds:20070173
WoS-ID: 000255251700005
Scopus-ID: 2-s2.0-42149161059
URI: https://enauka.gov.rs/handle/123456789/815784
Izvor metapodataka: (Preuzeto iz Nasi u WoS)
M-kategorija: 
22M22 - Međunarodni časopis kategorije M22

6
SCOPUSTM
5
OpenCitations
5
WEB OF SCIENCETM
Алт метрика
Dimensions
Unpaywall

Резултати на еНаука су заштићени ауторским правима и сва права су задржана, осим ако није другачије назначено.