Резултати

еНаука >  Резултати >  Effects of low gate bias annealing in NBT stressed p-channel power VDMOSFETs
Назив: Effects of low gate bias annealing in NBT stressed p-channel power VDMOSFETs
Аутори: Manić, Ivica  ; Danković, Danijel  ; Đorić Veljković, Snežana  ; Davidović, Vojkan  ; Golubović, Snežana  ; Stojadinović, Ninoslav 
Година: 2009
Публикација: Microelectronics Reliability
ISSN: 0026-2714 Microelectronics Reliability Претражи идентификатор
Издавач: United Kingdom : Elsevier Ltd.
Тип резултата: Научни чланак
Колација: vol. 49 br. 9-11 str. 1003-1007
DOI: 10.1016/j.microrel.2009.07.010
WoS-ID: 000270611700015
Scopus-ID: 2-s2.0-69249217802
URI: https://enauka.gov.rs/handle/123456789/816321
Извор метаподатака: (Preuzeto iz Nasi u WoS)
М-категорија: 
22M22 - Рад у истакнутом међ. часопису

13
SCOPUSTM
12
OpenCitations
13
WEB OF SCIENCETM
Алт метрика
Dimensions

Пронађи DOI
Unpaywall

Резултати на еНаука су заштићени ауторским правима и сва права су задржана, осим ако није другачије назначено.