Results

eNauka >  Rezultati >  Effects of low gate bias annealing in NBT stressed p-channel power VDMOSFETs
Naziv: Effects of low gate bias annealing in NBT stressed p-channel power VDMOSFETs
Autori: Manić, Ivica  ; Danković, Danijel  ; Đorić Veljković, Snežana  ; Davidović, Vojkan  ; Golubović, Snežana ; Stojadinović, Ninoslav 
Godina: 2009
Publikacija: Microelectronics Reliability
ISSN: 0026-2714 Microelectronics Reliability Pretraži identifikator
Izdavač: United Kingdom : Elsevier Ltd.
Tip rezultata: Naučni članak
Kolacija: vol. 49 br. 9-11 str. 1003-1007
DOI: 10.1016/j.microrel.2009.07.010
WoS-ID: 000270611700015
Scopus-ID: 2-s2.0-69249217802
URI: https://enauka.gov.rs/handle/123456789/816321
Izvor metapodataka: (Preuzeto iz Nasi u WoS)
M-kategorija: 
22M22 - Međunarodni časopis kategorije M22

14
SCOPUSTM
12
OpenCitations
14
WEB OF SCIENCETM
Altmetric
Dimensions
Unpaywall

Items in eNauka are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.