Резултати

еНаука >  Резултати >  An analytical model of the inverse base width modulation effect in SiGe graded heterojunction bipolar transistors
Назив: An analytical model of the inverse base width modulation effect in SiGe graded heterojunction bipolar transistors
Аутори: Pesic, Tatjana V; Jankovic, Nebojsa D
Година: 2001
Публикација: MICROELECTRONICS JOURNAL
ISSN: 0026-2692 Microelectronics Journal Претражи идентификатор
Тип резултата: Научни чланак
Колација: vol. 32 br. 9 str. 713-718
DOI: 10.1016/S0026-2692(01)00057-X
WoS-ID: 000170408900002
Scopus-ID: 2-s2.0-0035452352
URI: https://enauka.gov.rs/handle/123456789/816521
Извор метаподатака: (Preuzeto iz Nasi u WoS)
М-категорија: 
22M22 - Међународни часопис категорије M22

3
SCOPUSTM
2
OpenCitations
1
WEB OF SCIENCETM
Алт метрика
Dimensions
Unpaywall

Резултати на еНаука су заштићени ауторским правима и сва права су задржана, осим ако није другачије назначено.