Резултати

еНаука >  Резултати >  Modeling of gamma-irradiation and lowered temperature effects in power vertical double-diffused metal-oxide-semiconductor transistors (Erratum - errors in Authors - vol 38, pg 4699, 1999)
Назив: Modeling of gamma-irradiation and lowered temperature effects in power vertical double-diffused metal-oxide-semiconductor transistors <font color='#0066ff'><strong>(Erratum - errors in Authors - vol 38, pg 4699, 1999)</strong></font>
Аутори: Stojadinovic, Ninoslav D; Golubovic, Snezana M; Djoric-Veljkovic, Snezana M; Davidovic, Vojkan S
Година: 2001
Публикација: JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS
ISSN: 0021-4922 Japanese Journal of Applied Physics Претражи идентификатор
Тип резултата: Остало
Колација: vol. 40 br. 3R str. 1530-1530
DOI: 10.1143/JJAP.40.1530
WoS-ID: 000170771500079
Scopus-ID: 2-s2.0-0035271093
URI: https://enauka.gov.rs/handle/123456789/822177
Извор метаподатака: (Preuzeto iz Nasi u WoS)
М-категорија: 
Мп категорија ће бити приказана накнадно.

Алт метрика
Dimensions

Пронађи DOI

Unpaywall

Google ScholarTM

Резултати на еНаука су заштићени ауторским правима и сва права су задржана, осим ако није другачије назначено.