Резултати
еНаука >
Резултати >
Properties of latent interface-trap buildup in irradiated metal-oxide-semiconductor transistors determined by switched bias isothermal annealing experiments
| Назив: | Properties of latent interface-trap buildup in irradiated metal-oxide-semiconductor transistors determined by switched bias isothermal annealing experiments | Аутори: | Jaksic, Aleksandar B; Pejovic, Momcilo M; Ristic, Goran S   |
Година: | 2000 | Публикација: | APPLIED PHYSICS LETTERS | ISSN: | 0003-6951 Applied Physics Letters Претражи идентификатор |
Тип резултата: | Научни чланак | Колација: | vol. 77 br. 25 str. 4220-4222 | DOI: | 10.1063/1.1336159 | WoS-ID: | 000165824200047 | Scopus-ID: | 2-s2.0-0346930594 | URI: | https://enauka.gov.rs/handle/123456789/825449 | Извор метаподатака: | (Preuzeto iz Nasi u WoS) | М-категорија: | 21a+M21a+ - Водећи међународни часопис категорије M21a+ |
Резултати на еНаука су заштићени ауторским правима и сва права су задржана, осим ако није другачије назначено.