Резултати

еНаука >  Резултати >  Stability of submicron AlGaN/GaN HEMT devices irradiated by gamma rays
Назив: Stability of submicron AlGaN/GaN HEMT devices irradiated by gamma rays
Аутори: Jha, Shrawan K; Jelenkovic, Emil V; Pejovic, Milic M  ; Ristic, Goran S  ; Pejovic, Momcilo M; Tong, KY; Surya, C; Bello, I; Zhang, WJ
Година: 2009
Публикација: MICROELECTRONIC ENGINEERING
ISSN: 0167-9317 Microelectronic Engineering Претражи идентификатор
Тип резултата: Научни чланак
Колација: vol. 86 br. 1 str. 37-40
DOI: 10.1016/j.mee.2008.09.001
WoS-ID: 000263021500007
Scopus-ID: 2-s2.0-57149084856
URI: https://enauka.gov.rs/handle/123456789/827536
Пројекат: Research Grant Council of Hong Kong [CityU 123607, PolyU 5236/04E]
Ministry of the Science of the Republic of Serbia [141008B]
Извор метаподатака: (Preuzeto iz Nasi u WoS)
М-категорија: 
21M21 - Водећи међународни часопис категорије M21

34
SCOPUSTM
26
OpenCitations
28
WEB OF SCIENCETM
Алт метрика
Dimensions
Unpaywall

Резултати на еНаука су заштићени ауторским правима и сва права су задржана, осим ако није другачије назначено.