Резултати
еНаука >
Резултати >
Mechanisms of spontaneous recovery in positive gate bias stressed power VDMOSFETs
| Назив: | Mechanisms of spontaneous recovery in positive gate bias stressed power VDMOSFETs | Аутори: | Stojadinović, Ninoslav  ; Manić, Ivica  ; Đorić Veljković, Snežana ; Davidović, Vojkan ; Danković, Danijel ; Golubović, Snežana ; Dimitrijev, Sima |
Година: | 2002 | Публикација: | Microelectronics Reliability | ISSN: | 0026-2714 Microelectronics Reliability Претражи идентификатор |
Издавач: | United Kingdom : Elsevier Ltd. | Тип резултата: | Научни чланак | Колација: | vol. 42 br. 9-11 str. 1465-1468 | DOI: | 10.1016/S0026-2714(02)00171-3 | WoS-ID: | 000178889900042 | Scopus-ID: | 2-s2.0-12244265652 | URI: | https://enauka.gov.rs/handle/123456789/829538 | Извор метаподатака: | (Preuzeto iz Nasi u WoS) | М-категорија: | 22M22 - Међународни часопис категорије M22 |
Резултати на еНаука су заштићени ауторским правима и сва права су задржана, осим ако није другачије назначено.