Rezultati

eNauka >  Rezultati >  Mechanisms of spontaneous recovery in positive gate bias stressed power VDMOSFETs
Naziv: Mechanisms of spontaneous recovery in positive gate bias stressed power VDMOSFETs
Autori: Stojadinović, Ninoslav ; Manić, Ivica  ; Đorić Veljković, Snežana  ; Davidović, Vojkan  ; Danković, Danijel  ; Golubović, Snežana ; Dimitrijev, Sima
Godina: 2002
Publikacija: Microelectronics Reliability
ISSN: 0026-2714 Microelectronics Reliability Pretraži identifikator
Izdavač: United Kingdom : Elsevier Ltd.
Tip rezultata: Naučni članak
Kolacija: vol. 42 br. 9-11 str. 1465-1468
DOI: 10.1016/S0026-2714(02)00171-3
WoS-ID: 000178889900042
Scopus-ID: 2-s2.0-12244265652
URI: https://enauka.gov.rs/handle/123456789/829538
Izvor metapodataka: (Preuzeto iz Nasi u WoS)
M-kategorija: 
22M22 - Međunarodni časopis kategorije M22

4
SCOPUSTM
6
OpenCitations
5
WEB OF SCIENCETM
Alt metrika
Dimensions
Unpaywall

Rezultati na eNauka su zaštićeni autorskim pravima i sva prava su zadržana, osim ako nije drugačije naznačeno.