Резултати

еНаука >  Резултати >  Effects of high electric field and elevated-temperature bias stressing on radiation response in power VDMOSFETs
Назив: Effects of high electric field and elevated-temperature bias stressing on radiation response in power VDMOSFETs
Аутори: Stojadinovic, Ninoslav D; Manic, Ivica Dj; Đoric-Veljkovic, Snezana M  ; Davidović, Vojkan; Golubovic, Snezana M; Dimitrijev, Sima
Година: 2002
Публикација: Microelectronics Reliability
ISSN: 0026-2714 Microelectronics Reliability Претражи идентификатор
Издавач: United Kingdom : Elsevier Ltd.
Тип резултата: Научни чланак
Колација: vol. 42 br. 4-5 str. 669-677
DOI: 10.1016/S0026-2714(02)00039-2
WoS-ID: 000176465800017
Scopus-ID: 2-s2.0-0036540086
URI: https://enauka.gov.rs/handle/123456789/830908
Извор метаподатака: (Preuzeto iz Nasi u WoS)
М-категорија: 
22M22 - Рад у истакнутом међ. часопису

18
SCOPUSTM
18
OpenCitations
18
WEB OF SCIENCETM
Алт метрика
Dimensions

Пронађи DOI

Unpaywall

Резултати на еНаука су заштићени ауторским правима и сва права су задржана, осим ако није другачије назначено.