Резултати

eNauka >  Results >  A tunable band gap of the layered semiconductor Zn3In2S6 under pressure
Title: A tunable band gap of the layered semiconductor Zn3In2S6 under pressure
Authors: Resta A. Susilo; Yu Liu; Hongwei Sheng; Hongliang Dong; Raimundas Sereika; Bongjae Kim; Zhixiang Hu; Shujia Li; Mingzhi Yuan; Petrović, Čedomir  ;
Issue Date: 2022
Publication: Journal of Materials Chemistry. C
ISSN: 2050-7526 Journal of Materials Chemistry. C Search Idenfier
Publisher: Royal Society of Chemistry
Type: Article
Collation: vol. 10 br. 5 str. 1825-1832
DOI: 10.1039/D1TC05098B
WoS-ID: 000743274200001
Scopus-ID: 2-s2.0-85124557242
URI: https://enauka.gov.rs/handle/123456789/849901
Metadata source: (Preuzeto iz ORCID-a) Petrović, Čedomir
M-category: 
21aM21a

13
SCOPUSTM
12
WEB OF SCIENCETM
Алт метрика
Dimensions
Unpaywall

Резултати на еНаука су заштићени ауторским правима и сва права су задржана, осим ако није другачије назначено.