Резултати

еНаука >  Резултати >  A tunable band gap of the layered semiconductor Zn3In2S6 under pressure
Naziv: A tunable band gap of the layered semiconductor Zn3In2S6 under pressure
Autori: Resta A. Susilo; Yu Liu; Hongwei Sheng; Hongliang Dong; Raimundas Sereika; Bongjae Kim; Zhixiang Hu; Shujia Li; Mingzhi Yuan; Petrović, Čedomir  ;
Godina: 2022
Publikacija: Journal of Materials Chemistry. C
ISSN: 2050-7526 Journal of Materials Chemistry. C Pretraži identifikator
Izdavač: Royal Society of Chemistry
Tip rezultata: Naučni članak
Kolacija: vol. 10 br. 5 str. 1825-1832
DOI: 10.1039/D1TC05098B
WoS-ID: 000743274200001
Scopus-ID: 2-s2.0-85124557242
URI: https://enauka.gov.rs/handle/123456789/849901
Izvor metapodataka: (Preuzeto iz ORCID-a) Petrović, Čedomir
M-kategorija: 
21aM21a - Vodeći međunarodni časopis kategorije M21a

13
SCOPUSTM
12
WEB OF SCIENCETM
Алт метрика
Dimensions
Unpaywall

Резултати на еНаука су заштићени ауторским правима и сва права су задржана, осим ако није другачије назначено.