Rezultati

eNauka >  Rezultati >  Interband transitions of quantum wells and device structures containing Ga(N, As) and (Ga, In)(N, As)
Naziv: Interband transitions of quantum wells and device structures containing Ga(N, As) and (Ga, In)(N, As)
Autori: Klar, P J; Gr ning, H; Heimbrodt, W; Weiser, G; Koch, J; Volz, K; Stolz, W; Koch, S W; Tomić, Stanko  ; Choulis, S A;
Hosea, T J C; O Reilly, E P; Hofmann, M; Hader, J; Moloney, J V;
Godina: 2002
Publikacija: Semiconductor Science and Technology
ISSN: 0268-1242 Semiconductor Science and Technology Pretraži identifikator
Tip rezultata: Naučni članak
Kolacija: vol. 17 br. 8 str. 830-842
DOI: 10.1088/0268-1242/17/8/312
WoS-ID: 000177736100012
Scopus-ID: 2-s2.0-0036684853
URI: https://enauka.gov.rs/handle/123456789/851230
Izvor metapodataka: (Preuzeto iz CrossRef-a) Tomić, Stanko
M-kategorija: 
21M21 - Vodeći međunarodni časopis kategorije M21

44
SCOPUSTM
39
OpenCitations
37
WEB OF SCIENCETM
Alt metrika
Dimensions
Unpaywall

Rezultati na eNauka su zaštićeni autorskim pravima i sva prava su zadržana, osim ako nije drugačije naznačeno.